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【SUNYOU】 研究開発トピックス


平成30年度戦略的基盤技術高度化支援事業(サポイン)にて、当社の特許技術(特許第5295055号)である「吸引プラズマ」を用いた研究開発を行っております。

▪️計画名:IoTデバイス故障解析用プラズマ精密深掘り装置の開発
▪️実施期間:平成30年7月1日~平成33年3月31日


計画の内容

従来の故障解析向けの配線露出においてはLSIの表面から絶縁膜を除去し、プローブ法によって回路の導電性チェックする方法がとられてきました。
ところが、次世代デバイスにおいては配線が複雑化することによって構造的にもろくなってきただけでなく、高速化を図るためにlow-k膜と呼ばれるプラズマに対してより脆弱な材料がつかわれるようになり、LSI表面から配線を露出する故障解析は困難となってきました。
そこで、配線を露出せずにLSIの故障個所を特定する手段として、OBIRCH(Optical Beam Induced Resistance Change) やEOP(Electro Optical Probing)と呼ばれる光学的な非接触測定方法が取られるようになっています。

通常LSIの基板はシリコン(Si)であり、故障解析にはSiを透過する近赤外光のレーザー(たとえば波長1300nm)が使用されてきました。
しかし、近赤外光の空間分解能はおよそ1μmであり、LSIの配線における集積度が高まるに伴って、サブミクロンの空間分解能が要求されてきています。
空間分解能を向上させる直接の手段はレーザーの短波長化でありますが、Siに対する可視光の透過率は極めて低く、1μm程度の薄さに加工する必要があります。
当社は「吸引プラズマ法」でこれらの要請に応え、解析を行うSi基板の厚みを1μm程度に加工可能な装置開発を行っています。


集積回路の配線露出を目的とした加工における課題

吸引プラズマ法の概略図

体制

本事業の実施は次の機関と共同で行っております。

(株)三友製作所

【本社工場】

〒313-0004
茨城県常陸太田市馬場町457
TEL: 0294-72-2245
FAX: 0294-73-0459


【団地工場】

〒319-1225
茨城県日立市石名坂町2-43-10
TEL: 0294-53-2727
FAX: 0294-53-2729


【テクノセンタ】

〒319-1225
茨城県日立市石名坂町2-43-4
TEL: 0294-33-9931
FAX: 0294-33-9932